(untitled) (Sciences & Technology. A, exactes sciences, 2002)
Dans ce travail, nous avons mis en œuvre un modèle de la technique de pompage de charge pour le TMOS. Ce modèle, implanté dans le simulateur SPICE3F4, prend en considération la majorité des effets physiques décrivant le comportement réel du dispositif. La validation de notre modèle nous a fourni des résultats concernant le courant pompé Icp, en négligeant l’effet de la température sur les paramètres du TMOS, en fonction des niveaux haut et bas de l’impulsion de grille Vgh et Vgl et en fonction de la température. Nos résultats sont comparés à des résultats expérimentaux, analysés et commentés de manière à pouvoir en tirer des conclusions pratiques qui sont de nature à intéresser tous ceux qui sont appelés à réaliser des circuits de technologie VLSI.