(untitled) (Sciences & Technology. A, exactes sciences, 2001)
Le présent travail est essentiellement consacré à l’étude de quelques propriétés optiques de couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) préparées par la technique de pulvérisation cathodique radiofréquence. Il s’agit précisément d’examiner séparément l’influence de la pression partielle d’hydrogène lors du dépôt et l’effet d’un recuit thermique classique post-dépôt sur les principales grandeurs optiques des couches telles que l’indice de réfraction, le gap optique et l’énergie d’Urbach. On montre que les faibles pressions d’hydrogène permettent une saturation des liaisons pendantes dans le matériau, alors que les fortes doses conduisent à la création de nouveaux défauts. On montre aussi qu’un recuit thermique à température moyenne permet une nette amélioration de la qualité structurale des couches déposées.