(untitled) (Sciences & Technology. A, exactes sciences, 2004)
Dans cet article, nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courant-tension I-V d’un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l’Arséniure de Gallium, dit MESFET GaAs. Ce modèle physique est basé sur l’analyse bidimensionnelle de l’équation de Poisson dans la zone active sous la grille. Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytique que nous avons établi précédemment. Les résultats théoriques obtenus sont discutés et comparés avec ceux de l’expérience.