(untitled) (Sciences & Technology. A, exactes sciences, 2004)
Le profil d’énergie de la densité des états le long du gap du a-Si:H est déterminé conjointement par le modèle defect pool (MDP) et la queue de bande de conduction (QBC) calculée par la transformé de Fourier de la photoconductivité transitoire (PCT). La PCT obtenue par la simulation numérique est comparée avec les données expérimentales pour le cas du a-Si:H intrinsèque et le a-Si:H dopé par le phosphore. Les caractéristiques observées dans les courbes de la PCT à différentes températures permettent de calculer la fréquence d’émission au bord de la mobilité, le minimum de la queue de la QBC dans le a-Si:H intrinsèque et le pic de la bande des donneur dans le a-Si:H dopé .