ANALYSE DU PHOTOCOURANT TRANSITOIRE SIMULE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE (a-Si :H) EN CONFIGURATIONS COPLANAIRE ET p+-i-n+ (Sciences & Technology. A, exactes sciences, 2004)
Dans ce travail, nous étudions, par simulation numérique, la photoréponse transitoire de films à base de siliciumamorphe hydrogéné (a-Si:H) au travers de deux configurations : une cellule sandwich (p+-i-n+) et une configurationcoplanaire, lorsqu’elles sont étudiées par les techniques de caractérisation ‘temps de vol’ (Time Of Flight : TOF) etphotoconductivité transitoire (PCT), respectivement. La densité des états profonds dans le ‘gap’ proposée dans lasimulation est calculée selon le modèle defect pool. La technique TOF est simulée en mode de courant limité par lacharge d’espace (Space Charge Limited Current : SCLC) pour différentes températures et tensions appliquées; latechnique de la PCT est simulée pour différentes températures. La similitude entre les résultats obtenus de la simulationet des courbes expérimentales correspondantes renforce la validation du modèle defect pool. Deux tempscaractéristiques ont été identifiés de l’allure du photocourant transitoire ; le temps d’extraction de la charge, te,spécifique à la cellule p+-i-n+, ainsi que le temps d’émission par les pièges profonds, tE. Son tracé d’Arrhenius donne,pour les porteurs de charge, une fréquence d’échappement aux bords des mobilités d’environ 1011 Hz.