(untitled) (Sciences & Technologie. B, Sciences de l’ingénieur, 2005)
Dans les sciences de l’information telle que l’informatique, les télécommunications, le traitement de la transmission des signaux ou d’images, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Aussi nous nous intéressons dans le cadre de notre étude du transistor à effet de champ à grille Schottky submicronique à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs. Après une étude analytique des caractéristiques statiques du composant, suivant les différents régimes de fonctionnement, une simulation numérique est effectuée. L’influence des dimensions technologiques [ L, Z, a et Nd ] est étudiée. Les résultats obtenus permettent de déterminer les paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue de leurs applications et utilisations spécifiques.