(untitled) (Sciences & Technologie. B, Sciences de l’ingénieur, 2008)
Dans cet article, nous présentons une approche théorique basée sur des modèles de mobilité dans le silicium monocristallin dopé par des atomes accepteurs (piézorésistance type P), l’objet et d’analyser les deux coefficients de température de premier et deuxième ordre ( α et β ) en fonction du dopage. Sachant que la mobilité dépend du dopage et de la température il est évident que les quatre piézorésistances du capteur de pression dépendent également. Utilisant quatre modèles de mobilité nous avons tracé la variation des deux coefficients sur une plage du dopage entre 1017cm-3 et 1020cm-3 Cette analyse se focalise aussi sur le comportement de la tension d’offset en fonction de la température. Elle permet de relier les coefficients thermiques étudiés à celui de la dérive thermique de la tension d’offset, nous avons tracé la variation de la tension d’offset en fonction de la température où nous avons comparé nos résultats avec le modèle expérimental présenté dans la littérature.