ELABORATION ET CARACTERISATION DES COUCHES MINCES DE CuIn0.75Ga0.25Se2 POUR DES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES (Sciences & Technologie. B, Sciences de l'ingénieur, 2001)
Des couches minces de CuIn0.75Ga0.25Se2 ont été préparées par évaporation flash sous vide, sur des substrats de verre et de molybdène portés à une température de 300°C. Par la suite les films ont subi des recuits à 350°C, durant 30mm sous atmosphère de sélénium.L’examen des spectres de diffraction de RX, montre une bonne cristallinités des couches et une orientation préférentielle selon le plan (112). Les propriétés des couches ont fait également l’objet d’une étude. Les analyses des spectres de transmission montrent un front d’absorption net. A partir des courbes (ahu)2 en fonction de l’énergie hu, nous avons déterminé le gap optique (Eg) qui est égal à 1.00 eV. Cette valeur a augmentée à 1.18 eV (énergie de transition du matériau) sous l’influence d’un recuit sélénisant à 350°C. Des cellules solaires à base de ces couches ont été réalisées en donnant des résultats encourageants.