MODELE HYPERFREQUENCE DU TRANSISTOR MESFET GaAs (Sciences & Technologie. B, Sciences de l'ingénieur, 2001)
Dans cet article, nous proposons une analyse mathématique du comportement dynamique du transistor à effet de champ à grille Schottky à l’arséniure de gallium.                Le système d’équations différentielles de la répartition du potentiel et du courant dans la zone active du composant est établi en tenant compte de l’effet de la réduction de mobilité en fonction du champ électrique. Sa résolution permet l’obtention des facteurs admittance du composant.                Les résultats obtenus concernent les variations des parties réelles et imaginaires des paramètres admittance en fonction de la fréquence pour deux types de structure à grille longue et à grille courte. Les performances hyperfréquences et plus particulièrement le facteur de stabilité de Linvill et les gains en puissance sont déterminés et la comparaison théorie – expérience montre le bien fondé de la méthode.