INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LES CARACTERISTIQUES IV DU TRANSISTOR MESFET GAAS A GRILLE COURTE. (Sciences & Technologie. B, Sciences de l'ingénieur, 2005)
Dans les sciences de l’information telle que l’informatique, les télécommunications, letraitement de la transmission des signaux ou d’images, les composants à effet de champ jouentun rôle primordial. Aussi nous nous intéressons dans le cadre de notre étude du transistor à effetde champ à grille Schottky submicronique à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs. Aprèsune étude analytique des caractéristiques statiques du composant, suivant les différents régimesde fonctionnement, une simulation numérique est effectuée. L’influence des dimensionstechnologiques [ L, Z, a et Nd ] est étudiée. Les résultats obtenus permettent de déterminer lesparamètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue de leurs applications etutilisations spécifiques.